2014-01-10 1 2014-01-10 silicon differential photodiode silizium-differential-fotodiode version 1.1 bpx 48 ordering information bestellinformation features: besondere merkmale: ? especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm ? speziell geeignet fr anwendungen im bereich von 400 nm bis 1100 nm ? high photosensitivity ? hohe fotoempfindlichkeit ? dil plastic package with high packing density ? dil-plastikbauform mit hoher packungsdichte ? double diode with extremely high homogeneousness ? doppeldiode mit extrem hoher gleichm??igkeit applications anwendungen ? industrial electronics ? industrieelektronik ? for control and drive circuits ? messen / steuern / regeln ? edge control ? kantenerkennung ? follow-up control ? nachlaufsteuerung ? path and angle scanning ? weg- bzw. winkelabtastungen type: photocurrent ordering code typ: fotostrom bestellnummer e v = 1000 lx, std. light a, v r = 5 v, t = 2856 k i p [ a] bpx 48 24 ( 15) q62702p0017s001
2014-01-10 2 version 1.1 bpx 48 maximum ratings (t a = 25 c) grenzwerte characteristics (t a = 25 c, per single diode / fr jede einzeldiode) kennwerte parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit operating and storage temperature range betriebs- und lagertemperatur t op ; t stg -40 ... 80 c reverse voltage sperrspannung v r 10 v total power dissipation verlustleistung p tot 50 mw parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit photocurrent fotostrom ( e v = 1000 lx, std. light a, v r = 5 v, t = 2856 k) i p 24 ( 15) a wavelength of max. sensitivity wellenl?nge der max. fotoempfindlichkeit ? s max 900 nm spectral range of sensitivity spektraler bereich der fotoempfindlichkeit ? 10% 400 ... 1150 nm radiant sensitive area bestrahlungsempfindliche fl?che a1.54mm 2 dimensions of radiant sensitive area abmessung der bestrahlungsempfindlichen fl?che l x w 0.7 x 2.2 mm x mm half angle halbwinkel 60 dark current dunkelstrom (v r = 10 v) i r 10 ( 100) na spectral sensitivity of the chip spektrale fotoempfindlichkeit des chips ( ? = 850 nm) s ? typ 0.55 a / w max. deviation from average for each single diode max. abweichung der fotoempfindlichkeit der einzeldiode vom mittelwert ? s5%
version 1.1 bpx 48 2014-01-10 3 quantum yield of the chip quantenausbeute des chips ( ? = 850nm) 0.80 electro ns /photon open-circuit voltage leerlaufspannung ( e v = 1000 lx, std. light a) v o 330 ( 280) mv short-circuit current kurzschlussstrom ( e v = 1000 lx, std. light a) i sc 24 a rise and fall time anstiegs- und abfallzeit (v r = 5 v, r l = 1 k ? , ? = 850 nm) t r , t f 0.5 s forward voltage durchlassspannung v f 1.3 v capacitance kapazit?t ( v r = 0 v, f = 1 mhz, e = 0) c 0 25 pf temperature coefficient of v o temperaturkoeffizient von v o tc v -2.6 mv / k temperature coefficient of i sc temperaturkoeffizient von i sc (std. light a) tc i 0.18 % / k noise equivalent power rausch?quivalente strahlungsleistung (v r = 10 v, ? = 850 nm) nep 0.103 pw / hz ? detection limit nachweisgrenze (v r = 10 v, ? = 950 nm) d * 1.2e12 cm x hz ? / w parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2014-01-10 4 version 1.1 bpx 48 relative spectral sensitivity relative spektrale empfindlichkeit s rel = f( ? ) photocurrent / open-circuit voltage fotostrom / leerlaufspannung i p (v r = 5v) / v o = f(e v ) total power dissipation verlustleistung p tot = f(t a ) dark current dunkelstrom i r = f(v r ), e = 0
version 1.1 bpx 48 2014-01-10 5 capacitance kapazit?t c = f(v r ), f = 1 mhz, e = 0 dark current dunkelstrom i r = f(t a ), v r = 10 v, e = 0 directional characteristics winkeldiagramm s rel = f( ) ohf01402 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 80 100 120 0.4 0.6 0.8 1.0 ? 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 100 0 0 0
2014-01-10 6 version 1.1 bpx 48 package outline ma?zeichnung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). package dil, epoxy geh?use dil, harz 4.05 (0.159) 3.75 (0.148) 0.5 (0.020) 0.3 (0.012) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 2.54 (0.100) 7.8 (0.307) 7.4 (0.291) 6.6 (0.260) 6.3 (0.248) 0.3 (0.012) 0.25 (0.010) 0.8 (0.031) 2.2 (0.087) 1.9 (0.075) 3.5 (0.138) 3.0 (0.118) 7.62 (0.300) spacing 1.10 (0.043) 0.09 (0.004) 0.4 (0.016) 2.45 (0.096) 2.54 (0.100) 1.85 (0.073) 2.25 (0.089) cathode anode radiant sensitive area approx. weight 0.1 g geoy6638 diode system 2.0 (0.079) x 0.67 (0.026) 0.6 (0.024) 0.5 (0.020) 0.7 (0.028) 0...5?
version 1.1 bpx 48 2014-01-10 7 ttw soldering wellenl?ten (ttw) iec-61760-1 ttw / iec-61760-1 ttw 0 0 s oha04645 50 100 150 200 250 300 t t ?c 235 ?c - 260 ?c first wave 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 second wave 10 s max., max. contact time 5 s per wave preheating t 100 ?c 120 ?c 130 ?c typical cooling ca. 3.5 k/s typical ca. 2 k/s ca. 5 k/s continuous line: typical process dotted line: process limits < 150 k
2014-01-10 8 version 1.1 bpx 48 disclaimer disclaimer attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reserved. due to technical requirements components may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest version in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you ? get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of transport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of osram os. *) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. if they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. bitte beachten! lieferbedingungen und ?nderungen im design vorbehalten. aufgrund technischer anforderungen k?nnen die bauteile gefahrstoffe enthalten. fr weitere informationen zu gewnschten bauteilen, wenden sie sich bitte an unseren vertrieb. falls sie dieses datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden sie die aktuellste version im internet. verpackung benutzen sie bitte die ihnen bekannten recyclingwege. wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden sie sich bitte an das n?chstgelegene vertriebsbro. wir nehmen das verpackungsmaterial zurck, falls dies vereinbart wurde und das material sortiert ist. sie tragen die transportkosten. fr verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mssen, stellen wir ihnen die anfallenden kosten in rechnung. bauteile, die in lebenserhaltenden apparaten und systemen eingesetzt werden, mssen fr diese zwecke ausdrcklich zugelassen sein! kritische bauteile* drfen in lebenserhaltenden apparaten und systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches einverst?ndnis von osram os vorliegt. *) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich zu einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparates oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. **) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper oder (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr ist.
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