View IFS75S12N3T4B11_7697057.PDF datasheet online --- IC-ON-LINE

Datasheet File OCR Text:

technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 kenndaten key data topologie topology b6i halbleiter-nenndaten rated semiconductor data 1200v, 75a art der belastung load type ohmsch-induktiv resistive-inductive zielanwendung target application industrieantriebe, usv, klimatisierungsger?te, solarum richter industrial drives, ups, air conditioning, solar invert ers sensoren sensors strommesswiderst?nde fr laststrom, ntc fr bodenplattentemperatur shunts for output current, ntc for baseplate temperatur e digitale schnittstelle digital interface 5v-cmos, galvanische trennung nach iec61800-5-1 5v-cmos, galvanic isolation according to iec61800-5-1 normen standards iec61800-5-1 (overvoltage category iii, polution de gree 2, insulating material groupe ii), ul94, rohs blockschaltbild block diagram mipaq? sense modul in sixpack-konfiguration mit tren ch/feldstopp igbt4, emitter controlled 4 diode und strommess- widerstand mit integriertem s / d -wandler und galvanisch getrennter digitalen schnit tstelle mipaq? sense module in sixpack-configuration with tr ench/fieldstop igbt4, emitter controlled 4 diode an d current sense shunt with integrated s/d -converter and galvanical isolation of the digital interface s/d s/d s/d foto photo prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 j s/d s/d s/d 1(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules igbt-wechselrichter / igbt-inverter h?chstzul?ssige werte / maximum rated values kollektor-emitter-sperrspannung collector-emitter voltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom dc-collector current t c = 95c, t vj = 175c i c,nom 75 a periodischer kollektor spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1 ms i crm 150 a gesamt-verlustleistung total power dissipation t c = 25c, t vj = 175c p tot 349 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitter peak voltage v ges +/-20 v charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung i c = 75 a, v ge = 15 v, t vj = 25c 1,85 2,15 v collector-emitter saturation voltage i c = 75 a, v ge = 15 v, t vj = 125c 2,15 v i c = 75 a, v ge = 15 v, t vj = 150c 2,25 v gate-schwellenspannung gate threshold voltage i c = 4,00 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v ge(th) 5,2 5,8 6,4 v gateladung gate charge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,57 c interner gatewiderstand internal gate resistor t vj = 25c r gint 10 w eingangskapazit?t input capacitance f = 1 mhz,t vj = 25 c,v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 4,30 nf rckwirkungskapazit?t reverse transfer capacitance f = 1 mhz, t vj = 25 c,v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,16 nf kollektor-emitter reststrom collector-emitter cut-off current v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25 c i ces 1,0 ma gate-emitter reststrom gate-emitter leakage current v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na v ce sat zieldaten / target data ifs75s12n3t4_b11 einschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 0,135 s turn-on delay time (inductive load) v ge = 15 v t vj =125c t d,on 0,15 s r gon = 2,2 w t vj =150c 0,152 s anstiegszeit (induktive last) i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 0,036 s rise time (inductive load) v ge = 15 v t vj =125c t r 0,042 s r gon = 2,2 w t vj =150c 0,045 s abschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 0,33 s turn-off delay time (inductive load) v ge = 15 v t vj =125c t d,off 0,38 s r goff = 2,2 w t vj =150c 0,42 s fallzeit (induktive last) i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 0,108 s fall time (inductive load) v ge = 15 v t vj =125c t f 0,190 s r goff = 2,2 w t vj =150c 0,222 s einschaltverlustenergie pro puls i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 4,87 mj turn-on energy loss per pulse v ge = 15 v, di c /dt = 2,4 ka/s (tvj =150c) t vj =125c e on 7,7 mj r goff = 2,2 w t vj =150c 8,92 mj abschaltverlustenergie pro puls i c = 75 a, v ce = 600 v t vj = 25c 4,76 mj v ge = 15 v, du ce /dt = 3,3 kv/s (tvj =150c) t vj =125c e off 7,16 mj turn-off energy loss per pulse r goff = 2,2 w t vj =150c 7,95 mj kurzschlu?verhalten v ge 15 v, v cc = 800 v sc data v cemax =v ces -l sce di/dt, t p 10 s, t vj 150c innerer w?rmewiderstand pro igbt / per igbt thermal resistance, junction to case bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro igbt / per igbt l paste = 1 w/(m*k) / l grease = 1 w/(m*k) r thch 0,195 k/w prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 270 k/w i sc 0,43 a r thjc 2(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules target data diode-wechselrichter / diode-inverter h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom dc forward current i f 75 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 150 a grenzlastintegral i 2 t - value v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c v r = 0v, t p = 10ms, tvj = 150c i 2 t 960 960 a2s a2s spitzenverlustleistung maximum power dissipation t c = 25c, t vj = 175c p rqm 217 w charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. durchla?spannung i f = 75 a, v ge = 0v t vj = 25c 1,70 2,15 v forward voltage i f = 75 a, v ge = 0v t vj =125c v f 1,65 v i f = 75 a, v ge = 0v t vj =150c 1,65 v rckstromspitze i f = 75 a, - di f /dt = 2,9 ka/s (t vj = 150c) t vj = 25c 91 a peak reverse recovery current v r = 600v t vj = 125c i rm 98 a vge = -15v t vj =150c 105 a sperrverz?gerungsladung i f = 75 a, - di f /dt = 2,9 ka/s (t vj = 150c) t vj = 25c 8,2 c recovered charge v r = 600v t vj = 125c q r 13,8 c vge = -15v t vj =150c 15,5 c abschaltenergie pro puls i f =75 a, - di f /dt = 2,9 ka/s (t vj = 150c) t vj = 25c 4,8 mj reverse recovery energy v r = 600v t vj = 125c e rec 6,9 mj vge = -15v t vj =150c 7,7 mj innerer w?rmewiderstand pro diode / per diode ifs75s12n3t4_b11 zieldaten innerer w?rmewiderstand pro diode / per diode thermal resistance, junction to case bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro diode / per diode l paste = 1 w/(m*k) / l grease = 1 w/(m*k) r thch 0,31 k/w strommesswiderstand / shunt charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. nennwiderstand rated resistance 25c < t shunt < 200c r 25 2,376 2,40 2,424 m w temperaturkoeffizient temperature coefficient (tcr) 20c - 60c j cr < 30 ppm/k betriebstemperatur strommesswiderstand operation temperature shunt t vjop 200 c innerer w?rmewiderstand; thermal resistance; junction to case r thjc 13,0 k/w prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 k/w r thjc 0,69 3(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules zieldaten target data ntc-widerstand / ntc-thermistor charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. nennwiderstand rated resistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichung von r 100 deviation of r 100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung power dissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b(1/t 2 - 1/(298,15k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b(1/t 2 - 1/(298,15k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b(1/t 2 - 1/(298,15k))] b 25/100 3433 k modul / module min. typ. max. isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min v isol 2,5 kv material modulgrundplatte material of module baseplate cu material fr innere isolation material for internal insulation al 2 o 3 kriechstrecke creepage distance kontakt - khlk?rper / kontakt - kontakt terminal to heatsink / terminal to terminal d creepage 10 mm luftstrecke clearance kontakt - khlk?rper / kontakt - kontakt terminal to heatsink / terminal to terminal d clearance 7,5 mm vergleichszahl der kriechwegbildung comperative tracking index cti > 200 min. typ. max. bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module l paste = 1 w/(m*k) / l grease = 1 w/(m*k) r thch 0,011 k/w ifs75s12n3t4_b11 angaben gem?? gltiger application note. specification according to the valid application note. thermal resistance, case to heatsink l paste = 1 w/(m*k) / l grease = 1 w/(m*k) modulinduktivit?t stray inductance module l sce 22 nh modulleitungswiderstand, anschlsse - chip module lead resistance, terminals - chip t c = 25c, pro schalter / per switch (rshunt ist inklusive / rshunt is inclusiv) r cc+ee 1,2 m w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature wechselrichter inverter t vj max 175 c temperatur im schaltbetrieb temperature under switching conditions wechselrichter inverter t vj op -40 150 c zul?ssige geh?use-betriebstemperatur allowed operation case temperature bodenplatte / kontakt base plate / contact t c op -40 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 125 c anzugsdrehmoment f. mech. befestigung mounting torque schraube m5 - montage gem. gltiger applikation note screw m5 - mounting according to valid application note m 3,00 - 6,00 nm gewicht weight g 316 g prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 4(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data sigma-delta-wandlereinheit / sigma-delta converter unit charakteristische werte / characteristic values v cc1 = 4.75 v bis / to 5.25 v, v cc2 = 4.5 v bis / to 5.5 v, t c = 105c sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted. min. typ. max. maximale phasenstromfrequenz maximum line current frequency phase / phase u, v, w f sys 30,0 khz maximale periodische isolationsspannung i maximum repetive isolation voltage i logik (sd/clk) gegen lastausg?nge logik (sd/clk) to terminals v iorm 1420 v maximale periodische isolationsspannung ii maximum repetive isolation voltage ii leistungshalbleiter gegen bodenplatte (f = 50hz, t = 1 min) power semiconductor to base plate (f = 50hz, t = 1min) v isol 2500 v spannungsflankensteilheitsfestigkeit voltage slope immunity v imv = 500v zwschen gnd und 0v.u, 0v.v bzw. 0v.w v imv = 500v between gnd and 0v.u, 0v.v, 0v.w, respectivel y d/dt v slope 50 kv/s h?chste zul?ssige berspannung highest allowable overvoltage zwischen gnd und 0v.u, 0v.v bzw. 0v.w between gnd and 0v.u, 0v.v, 0v.w, respectively v iotm 6000 v maximale sto?isolationsspannung maximum surge isolation voltage zwischen gnd und 0v.u, 0v.v bzw. 0v.w between gnd and 0v.u, 0v.v, 0v.w, respectively v isom 6000 v isolationswiderstand isolation resistance v imv = 500v zwschen gnd und 0v.u, 0v.v bzw. 0v.w v imv = 500v between gnd and 0v.u, 0v.v, 0v.w, respectivel y r io 1 g maximaler wechselrichterausgangsstrom fr h?chstm?gliche aufl?sung maximum inverter output current for highest resolution phase / phase u, v, w i m,max,high_res -133,3 - +133,3 a maximaler wechselrichterausgangsstrom fr lineares wandlerverhalten maximum inverter output current for linear converter behavior phase / phase u, v, w i m,max,linear -83,3 - +133,3 a tastverh?ltnis des ausganges sd bei 0 a wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output sd at 0 a inverter output current t c = 25 c; i m = 0 a; phase / phase u, v, w pdm izero 49,6 50,0 50,4 % 1) tastverh?ltnis des ausganges sd bei max. positivem wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output sd at max. positive inverter output current t c = 25 c; i m > 133,3 a; phase / phase u, v, w pdm ipos 100,0 % 1) tastverh?ltnis des ausganges sd bei max. negativem wechselrichterausgangsstrom duty cycle of output sd at max. negative inverter output current t c = 25 c; i m < -133,3a; phase / phase u, v, w pdm ineg 0,0 % 1) output current differentieller verst?rkungsfehler differential gain error bedingung: shunt-spannungsabfall bis pin sd conditions: shunt voltage drop to pin sd ? g -1,56 - 1,56 % gleichstrom-versatz vom strommesswiderstand zum ausgang sd dc offset from internal shunt to pin sd bedingung: i m = 0a, siehe auch diagramme pdm = f(t a ) und ? pdm = f(v cc1 ) conditions: i m = 0a, see also diagrams ? pdm = f(t a ) and ? pdm = f(v cc1 ) pdm dc_offset - - 0,4 % pdm 1) temperaturdrift des gleichstrom-versatz vom strommesswiderstand zum ausgang sd dc offset drift due to temperature from shunt to pin sd bedingung: i m = 0a, siehe diagramm ? pdm = f(t a ) conditions: i m = 0a, see diagram ? pdm = f(t a ) pdm dc_offset,ta 0,09 - 0,135 % pdm 1) versorgungsspannungsdrift (v dd1 ) des gleichstrom- versatz vom strommesswiderstand zum ausgang sd dc offset drift due to v dd1 from shunt to pin sd bedingung: i m = 0a, siehe diagramm ? pdm = f(v cc1 ) conditions: i m = 0a, see diagram ? pdm = f(v cc1 ) pdm dc_offset,vdd1 0,116 - 0,15 % pdm 1) effektive anzahl der bits (enob aufl?sung) effective number of bits (enob resolution) phase u, v, w bedingungen: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, siehe diagramm enob = f(t a ) phase u, v, w conditions: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, see diagram enob = f(t a ) enob 10 12 bit signal-rausch-abstand signal-to-noise ratio phase u, v, w bedingungen: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, siehe diagramm snr = f(t a ) phase u, v, w conditions: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, see diagram snr = f(t a ) snr 65 74 db gesamtklirrfaktor total harmonic disortion phase u, v, w bedingungen: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, siehe diagramm thd = f(t a ) phase u, v, w conditions: i m = [-83,3a; +83,3a], f(i m ) = 1khz, see diagram thd = f(t a ) thd 65 72 db 1) = erkl?rung von pdm%: 100% = alle pulse sind 1, 0% = alle pulse sind 0, 50% = 50% fr jeweils 1 and 0 am ausgangs-pin sd. 1) = explanation of pdm%: 100% = all 1, 0% = all0, 50% = 50% for both 1 and 0 at output pin sd. prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 5(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data min. typ. max. versorgungsspannung shuntseite supply voltage shunt side phase / phase u, v, w v cc1u,v,w 4,75 5,00 5,25 v versorgungsspannung logikteil supply voltage logic section v cc2 4,5 5,0 5,5 v maximaler stromverbrauch leistungsteil maximal current consumption power section phase / phase u, v, w i cc1u,v,w 22 32 ma maximaler stromverbrauch logikteil maximal current consumption logic section i cc2 15 19 ma v cc1u,v,w unterspannungserkennungsschwelle v cc1u,v,w undervoltage detection threshold betriebszustand status: operating v uvloh1 4,3 4,4 v v cc1u,v,w unterspannungserkennungsschwelle v cc1u,v,w undervoltage detection threshold unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault v uvlol1 3,9 4,1 v hysteresis (v uvloh1 - v uvlol1 ) hystresis (v uvloh1 - v uvlol1 ) v hyst1 0,1 0,2 v v cc2 unterspannungserkennungsschwelle v cc2 undervoltage detection betriebszustand status: operating v uvloh2 4,0 4,3 v v cc2 unterspannungserkennungsschwelle v cc2 undervoltage detection threshold unterspannungsfehlerzustand status: undervoltage fault v uvlol2 3,5 3,7 v hysteresis (v uvloh2 - v uvlol2 ) hystresis (v uvloh2 - v uvlol2 ) v hyst2 0,2 0,3 v digital-ausgang / digital output v cc1 = 4.75 v bis / to 5.25 v, v cc2 = 4.5 v bis / to 5.5 v, t c = 105c sofern nicht anders spezifiziert / unless otherwise noted. min. typ. max. ausgangsspannung low-pegel: clk output voltage low: clk @ v cc2 = 4.5v und / and i o = 4ma belastung / load v oclk,low 0,12 0,26 v ausgangsspannung high-pegel: clk output voltage high: clk @ v cc2 = 4.5v und / and i o = 4ma belastung / load v oclk,high 4,48 4,8 v ausgangslaststrom pull-down: clk output load current pull-down: clk modus / in mode: pull-down i oclk,low -22 ma ausgangslaststrom pull-up: clk output load current pull-up: clk modus / in mode: pull-up i oclk,high 14,5 ma ausgangsflankensteilheit, steigend: clk rising output slope: clk lastkapazit?t / load capacitance c l = 50pf t clkrt 1,16 ns ausgangsflankensteilheit, fallend: clk falling output slope: clk lastkapazit?t / load capacitance c l = 50pf t clkft 1,16 ns ausgangsspannung low-pegel: sd output voltage low: sd @ v cc2 = 4.5v and i o = 4ma load, valid at falling edge of clk v osd,low 0,17 0,26 v ausgangsspannung high-pegel: sd ausgangsspannung high-pegel: sd output voltage high: sd @ v cc2 = 4.5v and i o = 4ma load, valid at falling edge of clk v osd,low 3,98 4,3 v ausgangslaststrom pull-down: sd output load current pull-down: sd modus / in mode: pull-down i osd,low -22 ma ausgangslaststrom pull-up: sd output load current pull-up: sd modus / in mode: pull-up i osd,high 14,5 ma ausgangsflankensteilheit, steigend: sd rising output slope: sd lastkapazit?t / load capacitance c l = 50pf t sdrt 1,16 ns ausgangsflankensteilheit, fallend: sd falling output slope: sd lastkapazit?t / load capacitance c l = 50pf t sdft 1,16 ns taktfrequenz: clk clock frequency: clk f clk 9,3 10,0 10,5 mhz tastverh?ltnis takt high-pegel: clk duty cycle clock high: clk t clk = 1/ f clk t clkh /t clk 20 30 40 % daten einrichtezeit vor steigender takt-flanke clk data setup time prior to rising edge of clk clock t sds 10 25 ns daten haltezeit nach fallender takt-flanke clk data hold time after rising edge of clk clock t sdh = t clk - t sds t sdh 40 50 ns jitter: clk jitter: clk short term, cycle to cycle jitter d t clk 1,3 4,5 ns anstiegszeit steigende takt-flanke: clk rising edge time of clock: clk t clkrt 0,5 1,5 2,5 ns abfallzeit fallende takt-flanke: clk falling edge time of clock: clk t clkft 0,5 1,5 2,5 ns anstiegszeit steigende daten-flanke: sd rising edge time of data: sd t sdrt 0,5 1,5 2,5 ns abfallzeit fallende daten-flanke: sd falling edge time of data: sd t sdft 0,5 1,5 2,5 ns clk-anlaufzeit nach anlegen der versorgungsspannung first clk after power-up oscillator output delivers pulses d t clkpulses 250 ns prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 6(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data taktdiagramm modulator ausgang / timing diagram mod ulator output taktdiagramm anstiegs- / fallzeit clk-ausgang / tim ing diagram rise / fall time output clk taktdiagramm jitter / timing diagram jitter prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 0,14 0,16 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ? pdm [%] t a [ c] dc-offset /-wandler ( typisch ) dc offset / converter (typical) pdm = f(ta) vcc1 = 5v deltapdm [%] 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 0,14 0,16 4,5 4,75 5 5,25 5,5 ? pdm [%] v cc1 [v] dc-offset /-wandler ( typisch ) dc offset / converter (typical) pdm = f(vcc1) ta = 25c deltapdm [%] 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 0,14 0,16 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ? pdm [%] t a [ c] dc-offset /-wandler ( typisch ) dc offset / converter (typical) pdm = f(ta) vcc1 = 5v deltapdm [%] 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,1 0,12 0,14 0,16 4,5 4,75 5 5,25 5,5 ? pdm [%] v cc1 [v] dc-offset /-wandler ( typisch ) dc offset / converter (typical) pdm = f(vcc1) ta = 25c deltapdm [%] 7(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data 0 2 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 enob [bit] t a [ c] enob /-wandler ( typisch ) enob / converter (typical) enob = f(ta) vcc1 = 5v enob [bit] 70,5 71 71,5 72 72,5 73 73,5 74 74,5 75 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 snr [db] t a [ c] snr /-wandler ( typisch ) snr / converter (typical) snr = f(ta) vcc1 = 5v snr [db] 70 72 74 thd /-wandler ( typisch ) thd / converter (typical) thd = f(ta) vcc1 = 5v 10 12 fclk /-wandler ( typisch ) fclk / converter (typical) fclk = f(ta) vcc1 = 5v prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 0 2 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 enob [bit] t a [ c] enob /-wandler ( typisch ) enob / converter (typical) enob = f(ta) vcc1 = 5v enob [bit] 70,5 71 71,5 72 72,5 73 73,5 74 74,5 75 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 snr [db] t a [ c] snr /-wandler ( typisch ) snr / converter (typical) snr = f(ta) vcc1 = 5v snr [db] 58 60 62 64 66 68 70 72 74 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 thd [db] t a [ c] thd /-wandler ( typisch ) thd / converter (typical) thd = f(ta) vcc1 = 5v thd [db] 0 2 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 fclk [mhz] t a [ c] fclk /-wandler ( typisch ) fclk / converter (typical) fclk = f(ta) vcc1 = 5v fclk [mhz] 8(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 i c [a] v ce [v] ausgangskennlinie igbt-wechselr. (typisch) output characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ce ) v ge = 15v tvj = 25 c tvj = 125 c tvj = 150c 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 i c [a] v ce [v] ausgangskennlinienfeld igbt-wechselr. (typisch) output characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ce ) t vj = 150 c vge = 19v vge = 17v vge = 15v vge = 13v vge = 11v vge = 9v 120 135 150 bertragungscharakteristik igbt-wechselr. (typisch) transfer characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ge ) v ce = 20v tvj = 25c tvj = 125 c 24 28 einschaltverluste igbt-wechselr. (typisch) turn-on switching losses igbt inverter (typical) eon = f(ic) vge = 15v, rgon = 2.2?, vce = 600v tvj = 25c tvj = 125c prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 i c [a] v ce [v] ausgangskennlinie igbt-wechselr. (typisch) output characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ce ) v ge = 15v tvj = 25 c tvj = 125 c tvj = 150c 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 i c [a] v ce [v] ausgangskennlinienfeld igbt-wechselr. (typisch) output characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ce ) t vj = 150 c vge = 19v vge = 17v vge = 15v vge = 13v vge = 11v vge = 9v 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 5 6 7 8 9 10 11 12 13 i c [a] v ge [v] bertragungscharakteristik igbt-wechselr. (typisch) transfer characteristic igbt inverter (typical) i c = f(v ge ) v ce = 20v tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c 0 4 8 12 16 20 24 28 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 e on [mj] i c [a] einschaltverluste igbt-wechselr. (typisch) turn-on switching losses igbt inverter (typical) eon = f(ic) vge = 15v, rgon = 2.2?, vce = 600v tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 e off [mj] i c [a] ausschaltverluste igbt-wechselr. (typisch) turn-off switching losses igbt inverter (typical) eoff =f(ic) vge = 15v, rgoff = 2.2?, tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 e [mj] r g [ ] schaltverluste igbt-wechselr. (typisch) switching losses igbt inverter (typical) e on = f(r g ), e off = f(r g ) v ge = 15v, i c = 75a eon, tvj = 125c eoff, tvj = 125c eon, tvj = 150c eoff, tvj = 150c 9(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data 0 50 100 150 200 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 i c [a] v ce [v] sicherer rckw?rts-arbeitsbereich igbt-wr. (rbsoa) reverse bias safe operating area igbt inverter (rbso a) ic = f(vce) vge = 15v, rgoff = 2.2?, tvj = 150c ic, modul ic, chip 90 105 120 135 150 durchlasskennlinie der diode-wechselr. (typisch) forward characteristic of diode inverter (typical) i f = f(v f ) tvj = 25 c tvj = 125 c tvj = 150c 8 12 schaltverluste diode-wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) e rec = f(i f ) v ge = 15v, r gon = 2.2?, v ce = 600v tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 0 50 100 150 200 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 i c [a] v ce [v] sicherer rckw?rts-arbeitsbereich igbt-wr. (rbsoa) reverse bias safe operating area igbt inverter (rbso a) ic = f(vce) vge = 15v, rgoff = 2.2?, tvj = 150c ic, modul ic, chip 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 i f [a] v f [v] durchlasskennlinie der diode-wechselr. (typisch) forward characteristic of diode inverter (typical) i f = f(v f ) tvj = 25 c tvj = 125 c tvj = 150c 0 4 8 12 0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150 e rec [mj] i f [a] schaltverluste diode-wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) e rec = f(i f ) v ge = 15v, r gon = 2.2?, v ce = 600v tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c 0 2 4 6 8 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 e rec [mj] r g [ ] schaltverluste diode-wechselr. (typisch) switching losses diode inverter (typical) e rec = f(r g ) v ge = 15v, i f = 75a, v ce = 600v tvj = 25c tvj = 125c tvj = 150c 10(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 r ntc [ ] t c [ c] ntc-temperaturkennlinie (typisch) ntc temperature characteristic (typical) r ntc = f(t c ) rntc [ ] prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 r ntc [ ] t c [ c] ntc-temperaturkennlinie (typisch) ntc temperature characteristic (typical) r ntc = f(t c ) rntc [ ] 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 r ntc [ ] t c [ c] ntc-temperaturkennlinie (typisch) ntc temperature characteristic (typical) r ntc = f(t c ) rntc [ ] 11(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data schaltplan / circuit diagram geh?useabmessungen / package outline infineon j s/d s/d s/d prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 infineon j s/d s/d s/d 12(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16
technische information / technical information igbt-module igbt-modules ifs75s12n3t4_b11 zieldaten target data nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die beurteilung der eignung dieses produktes fr ihre anwen dung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der ber eitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ih ren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche gew? hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschli e?lich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag e nthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das p rodukt und dessen eigenschaften keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, d ie ber den inhalt dieses produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz di eses produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www.infi neon.com, vertrieb&kontakt). fr interessenten halten w ir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser prod ukt gesundheitsgef?hrdende substanzen enthalten. bei rckf ragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen substanzen se tzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in anwendungen d er luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, dass wir f r diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qualit?t sassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherungsvereinbarun gen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer la ufenden produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hin weise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data sheet is exclusivel y intended for technically trained staff. you and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the compl eteness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the characteristics of t his product for which a warranty is granted. any such war ranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of t he supply agreement. there will be no guarantee of a ny kind for the product and its characteristics. should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns th e specific application of our product, please contact the sales office , which is responsible for you (see www.infineon.com, sale s&contact). application of our product, please contact the sales office , which is responsible for you (see www.infineon.com, sale s&contact). for those that are specifically interested we may provid e application notes. due to technical requirements our product may contain da ngerous substances. for information on the types in questi on please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in aviation appl ications, in health or live endangering or life suppor t applications, please notify. please note, that for any such applications we u rgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing product surve y, and that we may make delivery depended on the realiza tion of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalen t notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved. prepared by: us date of publication: 16.08.2011 approved by: mh revision: 2.1 13(13) db_ifs75s12n3t4_b11_2v1_2011-08-16

▲Up To Search▲

Price & Availability of IFS75S12N3T4B11

	To Download IFS75S12N3T4B11 Datasheet File
If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader .