technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 138 s 08...10 s elektrische eigenschften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 25c...t vj max v rrm 800 v repetitive peak forward reverse voltage 900 v 1000 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 900 v non-repetitive peak reverse voltage 1000 v 1100 v durchla?strom-grenzeffektivwert i frmsm 230 a rms forward current dauergrenzstrom t c =85c i favm 138 a mean forward current t c =82c 146 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, tp = 10 ms i fsm 1950 a surge foward current t vj = t vj max , tp = 10 ms 1600 a grenzlastintegral t vj = 25c, tp = 10ms i2t 19000 a2s i2t-value t vj = t vj max , tp = 10ms 12800 a2s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 450 a v f max. 2,4 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 1,32 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 2,2 m w forward slope resistance spitzenwert der durchla?verz?gerungsspannung iec 747-2 v frm 9,5 v 1) peak value of forward recovery voltage t vj = t vj max di f /dt=100a/s, v r =0v durchla?verz?gerungszeit iec 747-2, methode / method ii t fr max. 1,1 s 1) forward recovery time t vj = t vj max, i fm =di f /dt*tfr di f /dt=100a/s, v r =0v sperrstrom t vj = 25c, v r =v rrm i r max. 5 ma reverse current t vj = t vj max , v r = v rrm max. 40 ma rckstromspitze din iec 747-2, t vj =t vj max i rm 47 a 1) peak reverse recovery current i fm =225a,-di f /dt=100a/s v r =0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm sperrverz?gerungsladung din iec 747-2, t vj =t vj max q r 32 as 1) recovered charge i fm =225 a,-di f /dt=100a/s v r =0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm sperrverz?gerungszeit din iec 747-2, t vj =t vj max t rr 1,1 s 1) reverse recovered time i fm =225a,-di f /dt=100a/s v r =0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm sanftheit t vj = t vj max sr 0,003 s/a 2) softness i fm =225a,-di f /dt=100a/s v r =0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm 1) richtwert fr obere streubereichsgrenze / upper limit of scatter range (standard value) 2) richtwert fr untere streubereichsgrenze / lower limit of scatter range (standard value) sz-m / 30. april 1993 , r.j?eke a 13/ 93 seite/page 1
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 138 s 08...10 s thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, q =180sin max. 0,141 c/w beidseitig / two-sided, dc max. 0,133 c/w anode / anode, q =180sin max. 0,224 c/w anode / anode, dc max. 0,216 c/w kathode / cathode, q =180sin max. 0,344 c/w kathode / cathode, dc max. 0,336 c/w bergangs- w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,015 c/w einseitig / single-sided max. 0,030 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 125 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op -40...+125 c operating temperature lagertemperatur t stg -40...+150 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-element mit druckkontakt durchmesser/diameter 15mm si-pellet with pressure contact anpre?kraft f 1,7...3,4 kn clamping force gewicht g typ. 65 g weight kriechstrecke 17 mm creepage distance feuchteklasse din 40040 c humidity classification schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance khlk?rper / heatsinks: k0,12f ; k0,17f ; k0,22f ; k0,36s ; k0,65s mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen./ the technical information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sz-m / 30. april 1993 , r. j?rke seite/page 2
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 138 s 08...10 s sz-m / 30. april 1993 , r. j?eke seite/page 3
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 138 s 08...10 s khlung analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc cooling analytical ementes of transient thermal impedance z thjc for dc pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig r thn [c/w] 0,00694 0,0131 0,023 0,0335 0,0552 two-sided t n [s] 0,000727 0,00909 0,0281 0,134 0,529 anodenseitig r thn [c/w] 0,00755 0,0246 0,0215 0,0799 0,0683 anode-sided t n [s] 0,000812 0,0132 0,064 0,412 1,88 kathodenseitig r thn [c/w] 0,00784 0,0277 0,022 0,0947 0,115 cathode-sided t n [s] 0,000855 0,0143 0,123 0,473 2,17 n max analytische funktion / analytical function : z thjc = = ? r thn ( 1 - exp ( - t / t n )) n=1 sz-m / 30. april 1993, r.j?rke seite/page 4 0,0691 10 0,0011 2,27 0,0141 10,8
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 138 s 08...10 s grenzdurchla?kennlinie / limiting 0n-state characteristic i f =f(v f ) t vj = t vj max sz-m / 30. april 1993 , r. j?rke seite/page 5 0 100 200 300 400 500 600 0,5 1 1,5 2 2,5 3 v f [v] i f [ a]
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