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GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409
Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlassigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfanger * Gehausegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen * IR-Fernsteuerungen von Fernseh-, Rundfunkund Videogeraten, Lichtdimmern * Lichtschranken bis 500 kHz * Munzzahler * Sensorik * Diskrete Optokoppler * * * *
Features * * * * * Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
Applications * IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorders, dimmers * Light-reflection switches (max. 500 kHz) * Coin counters * Sensor technology * Discrete optocouplers
Typ Type SFH 409 SFH 409-2
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1002
Gehause Package 3-mm-LED-Gehause (T 1), grau eingefarbt, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead
2003-11-11
1
SFH 409
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache Dimensions of the active chip area Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Kapazitat, VR = 0 V Capacitance Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value - 40 ... + 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit C V mA A mW K/W
Top; Tstg VR IF IFSM Ptot RthJA
55
nm
20 0.09 0.3 x 0.3 2.6 25
Grad deg. mm2 mm mm pF
A LxB LxW H Co
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2
SFH 409
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, e from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, RL = 50 Durchlaspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom, Reverse current, VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von peak, IF = 100 mA Temperature coefficient of peak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 0.5 Einheit Unit s
tr, tf
VF VF IR
e
1.30 ( 1.5) 1.9 ( 2.5) 0.01 ( 1) 15
V V A mW
TCI
- 0.55
%/K
TCV TC
- 1.5 + 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s
1) 1)
Symbol SFH 409
Werte Values SFH 409-11) SFH 409-2 SFH 409-31)
Einheit Unit
Ie Ie typ.
6.3 -
6.3 ... 12.5 75
> 10 120
16 ... 32 -
mW/sr mW/sr
Nicht bestellbar als Einzelgruppe. Can not be ordered as single group.
2003-11-11
3
SFH 409
Relative Spectral Emission Irel = f ()
100 %
OHR01938
Radiant Intensity
e = f (IF) e 100 mA
OHR00864
Single pulse, tp = 20 s
e e (100 mA) 10 1
Max. Permissible Forward Current IF = f (TA)
120
OHR00883
F mA
100
rel
80
80
60
R thjA = 450 K/W 60
10 0
40
40
20
20
10 -1 10 -2
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -1
10 0
A F
10 1
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
IF = f (VF), Single pulse, tp = 20 s
10 1 A
OHR01041
Forward Current
Permissible Pulse Handling Capability IF = f (), TA = 25 C duty cycle D = parameter
10 4
OHR00865
F
F mA 5
D = 0.005
typ. max.
D=
T
F
T
10
0
0.01 0.02 10
3
0.05 0.1 0.2
10 -1
5
0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
10 -2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5 VF
Radiation Characteristics rel = f ()
40 30 20 10 0 1.0
OHR01887
50
0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2003-11-11
4
SFH 409
Mazeichnung Package Outlines
Area not flat 0.6 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9
2.54 mm spacing
4.0 3.6
0.7 0.4 0.8 0.4
1.8 1.2
(3.5) 29 27 6.3 5.9
o3.1 o2.9
0.6 0.4
Chip position Cathode (SFH 409, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 4301)
GEX06250
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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5

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