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( DataSheet : www..com ) Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Features: Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Volle Sperrfahigkeit bei 120 mit 50 Hz Hoher Stostrom mit hohem di/dt und niedriger Warmewiderstand durch NTV Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection Full blocking capability at 120C with 50 Hz High surge current with high di/dt and low thermal resistance by using low temperatureconnection NTV between silicon wafer and molybdenum Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stostrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t-value Kritische Stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, repetitive Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-repetitive Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current f = 50 Hz VRRM Tvj min = -40C Tvj min = 0C 7500 7700 8000 8200 V V ITRMSM TC = 85C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 VD VBO, f = 50Hz, PL = 40mW, trise = 0,5s Tvj = 50C, VD VBO, iT 10kA PL = 40mW, trise = 0,5s Tvj = Tvj max, vDM = 5kV 3800 A 1760 A 2440 A 45 kA 40 kA 10,1*106 A2s 2 8,0*106 A s 300 A/s ITAVM ITSM I2t (di/dt)cr (di/dt)cr (dv/dt)cr 5000 A/s 2000 V/s www..com BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller www..com Release 2.2 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzundspannung (statisch) protective break over voltage Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Durchlarechenkennlinie on-state characteristics for calculations Tvj = 0C ... Tvj max VBO typ. vT 2,8 typ. VTO rT 1,20 0,40 typ. min. 7500 max. 3,0 max. 1,24 0,44 max. V Tvj = Tvj max, iT = 4kA V Tvj = Tvj max V m Tvj = Tvj max VT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D iT 500 A iT 5000 A A B C D Tvj = 25C, vD = 200V 0,616 0,000219 0,0342 0,0161 -0,0864 0,000343 0,2021 0,000614 mW 350 mA 1A 500 mA erforderliche Zundlichtleistung required gate trigger light power Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zundverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time PLM IH IL iD, iR tgd tq min. 40 Tvj = 25C Tvj = 25C, vD = 200V, PLM = 40mW, tan = 0,5s Tvj = Tvj max vD = vR = 7500V Tvj = 25C, vD = 1000V, PLM = 40mW, tan = 0,5s Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67vDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4th letter O Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM typ. 5 s s typ. 550 Sperrverzogerungsladung recovered charge Ruckstromspitze peak reverse recovery current Qr 15 mAs Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM IRM 350 A BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthJC 0,0063 0,0060 0,0106 0,0138 0,0015 0,003 +120 C/W C/W C/W C/W C/W C/W C Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature RthCK Tvj max Tc op Tstg -40...+120 C -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzundung Si-pellet with pressure contact, ligt triggered Anprekraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance DIN 40040 Seite 4 Silizium Tablette silicon wafer F G typ. 101LTN80 63...91 kN 3200 g 49 mm C 50 m/s2 f = 50Hz Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Mabild / Outline BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH Durchlakennlinien iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic Tvj = 120C N 4500 4000 3500 3000 2500 IT [A] 2000 1500 1000 500 0 0 0,5 1 1,5 V T [V ] 2 2,5 3 3,5 BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t) Z th JC (t ) = n Rth n 1 - e -t / n ( ) anodenseitige Kuhlung / anode sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00662 11,6 0,00043 0,946 0,00248 0,219 0,00081 0,0310 0,00026 0,00761 0,0106 - n 1 2 3 4 5 beidseitige Kuhlung / double sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00238 2,06 0,00202 0,301 0,00110 0,0674 0,0005 0,0122 0 1 0,006 - kathodenseitige Kuhlung / cathod sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,0102 9,62 0,00224 0,268 0,00092 0,0532 0,00044 0,0107 0 1 0,0138 - 0,015 c 0,010 a Zth [K/W] d 0,005 0,000 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Sperrverzogerungsladung Qr = f ( - di/dt ) recovered charge Nebenbedingungen: Tvj = 120C, ITM = 4000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 50 40 30 20 10 9 8 Q r r [m A s ] 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 d i /d t [A / s ] BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 NH 75...80 TOH N Ruckstromspitze / reverse recovery current (typische Abhangigkeit / typical dependence) IRM = f ( - di/dt) Tvj = 120C, ITM = 2500A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 700 600 500 400 IRM [A] 300 200 100 0 0 5 10 15 20 25 di/dt [A/s] BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller Release 2.2 Seite/page 8 |
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