| PART |
Description |
Maker |
| AS3833-ZSOT AS3833-ZTQT |
6 channel high-precision LED cont rol ler for 3D-LCD backl ight with integrated step-up cont rol ler
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ams AG
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| IRFN340SMD |
N-Channel Power MOSFET(BVdss:400V,Id(cont):10A,Rds(on):0.55Ω)(N沟道功率MOS场效应管(BVdss:400V,Id(cont):10A,Rds(on):0.55Ω))
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
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| IRFN140SMD |
ER CET 0 22 A, 100 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.077Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:100V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.077Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：100V的，身份证（续）3.9A，的Rds（on）：0.077Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本100V的，身份证（续）3.9A时，RDS（对）：0.077Ω））
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TT electronics Semelab, Ltd.
International Rectifier, Corp.
Seme LAB
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| IRFE9130 |
P-Channel Power MOSFET(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)(P沟道功率MOS场效应管(Vdss:-100V,Id(cont):-6.1A,Vdgr:-0.345V)) P沟道功率MOSFET（减振钢板基本：- 100V的，身份证（续） 6.1A，Vdgr 0.345V）性（P沟道功率马鞍山场效应管（减振钢板基本 100V的，身份证（续） 6.1AVdgr 0.345V））
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Seme LAB
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| SML100W18 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):17.3A,Rds(on):0.57Ω)(N沟道增强高电压功率MOS场效应管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω))
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
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| IRF240SMD |
N.CHANNEL POWER MOSFET
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）3.9A，的Rds（on）：0.18Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）3.9A时，RDS（对）：0.18Ω））
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
Air Cost Control
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| STK4111V |
VAR 20 JOULES CONT 81V MAX 175V/50A MOV 模拟IC
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Sanyo Electric Co., Ltd.
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| APT50M50JLL |
Volts:500V RDS(ON):0.05Ohms ID(cont:)79Amps|MOSFETs 电压00V电压的RDS（ON）：0.05Ohms编号（续：）七九安培| MOSFET
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Microsemi, Corp.
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| APT13GP120B |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):13Amps|Ultrafast IGBT Family 电压200伏室的Vceon）：3.6V的身份证（续）：一三安培|超快IGBT的家
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Commonwealth Industrial, Corp.
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| 3-84952-0 |
FPC ( Flexible Printed Circuit ) Connectors; 1MM FPC HORZ.BTTM CONT.ASS.30P ( AMP )
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Tyco Electronics
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| 2N5484 2N5485 2N5486 SST5484 SST5485 SST5486 |
High Frequency/General Purpose
N-Channel JFETs
MOSFET, P SO-8MOSFET, P SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:P; Voltage, Vds max:20V; Case style:SO-8; Current, Id cont:4.5A; Current, Idm pulse:-20A; Power, Pd:1.3W; Resistance, Rds on:0.04R; SMD:1; Charge, gate p
MOSFET, P SO-8MOSFET, P SO-8; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:P; Voltage, Vds max:20V; Case style:SO-8; Current, Id cont:5.6A; Current, Idm pulse:-30A; Power, Pd:1.25W; Resistance, Rds on:0.025R; SMD:1; Charge, gate p
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Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology,Inc.
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