| PART |
Description |
Maker |
| SFH4555 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4058 Q65110A9218 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH405 SFH40512 Q62702P0835 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q0517 |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| SFH4547 Q65111A1141 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4205 |
(SFH4200 / SFH4205) Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode
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Infineon Technologies
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| SFH4243 Q65110A7515 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4239 Q65110A9549 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| MA4EXP950M-1277T MA4EXP950M-1277 |
850 MHz - 1050 MHz RF/MICROWAVE DOUBLE BALANCED MIXER, 9.1 dB CONVERSION LOSS-MAX
Silicon Double Balanced HMIC Mixer, 850 - 1050 MHz
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MACOM[Tyco Electronics]
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| MCP6L92T-E_MS MCP6L92T-E_OT MCP6L92T-E_SL MCP6L92T |
10 MHz, 850 μA Op Amps
10 MHz, 850 楼矛A Op Amps
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Microchip Technology
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