| PART |
Description |
Maker |
| IRG4BC20F |
600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) 绝缘栅双极晶体管VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典\u003d 1.66V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 9.0,9.0
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IRF[International Rectifier]
International Rectifier, Corp.
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| IRG4BC20K |
600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A) 绝缘栅双极晶体管VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典\u003d 2.27V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 9.0,9.0
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IRF[International Rectifier]
International Rectifier, Corp.
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| IRG4PSC71U |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A) 绝缘栅双极晶体管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典\u003d 1.67V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 60A条）
600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-274AA package
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International Rectifier, Corp.
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| IRLZ34NLPBF |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035, ID = 30A ) HEXFET功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 0.035ヘ，身份证\u003d 30A条）
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International Rectifier, Corp.
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| IRC |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 9.0,9.0
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International Rectifier, Corp.
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| IRLI620G IRLI620 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份证\u003d 4.0a上）
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International Rectifier, Corp.
IRF[International Rectifier]
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| IRFPS40N50L |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A) 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 500V及的Rds（on）典\u003d 0.087ohm，身份证\u003d 46A条）
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International Rectifier, Corp.
IRF[International Rectifier]
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| IRG4BC30KD IRG4BC30KDPBF |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) 绝缘栅双极型晶体管，超快软恢复二极管（VCES和\u003d 600V电压的Vce（on）典\u003d 2.21V，@和VGE \u003d 15V的，集成电路\u003d 16A条）
600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
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International Rectifier, Corp.
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| IRF7451 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 150伏时，RDS（on）的最大值\u003d 0.09ohm，身份证\u003d 3.6A
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International Rectifier, Corp.
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| IRHN8230 IRHN7230 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) 晶体管N沟道（BVdss \u003d 200V的电压，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份证\u003d 9.0,9.0
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International Rectifier, Corp.
IRF[International Rectifier]
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